原型号
查看详情 · 3 条候选ISL3036EIRUZ-T7A
Renesas Electronics Corporation
- NTS0104BQ,115NXP USA Inc.相似型号
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芯片技术资料
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BSL305SPEH6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、高度 1.1 mm，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBSL306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 2.3 A，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBSL307SP H6327
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel, 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 2 A, 2.3 A，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETBSL308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFSL306LRLX
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括工作电源电压 10 V、开关频率 50 kHz、输出类型 Adjustable、类型 Green Mode Buck Switch、拓扑结构 Buck、输出数 1 Output，采用 LSOP-7 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersFSL306LRN
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 7.7 V、输入／电源电压（最大值） 26 V、输出电压 85～265 V、输出电流 450 mA、开关频率 50 kHz、类型 PWM Controller，采用 DIP-7 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > AC/DC ConvertersIRFSL3006PBF
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 270 A，采用 TO-262-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRLSL3036PBF
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 270 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.8 mOhms、栅源电压（Vgs） 16 V，采用 TO-262-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET