ChipSourceHub 美芯科技

Infineon Technologies

IRLSL3036PBF

主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 270 A、漏源导通电阻(Rds On) 2.8 mOhms、栅源电压(Vgs) 16 V,采用 TO-262-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
MOSFET
封装
TO-262-3
安装方式
通孔安装
包装方式
管装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

13 项参数
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
漏源击穿电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Id)
270 A
漏源导通电阻(Rds On)
2.8 mOhms
栅源电压(Vgs)
16 V
栅极电荷(Qg)
91 nC
耗散功率(Pd)
380 W
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
型号别名
SP001559028
展开更多参数(1 项)
单件重量
0.084199 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

IRLSL3036PBF 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技