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原厂资料

11 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NRVTSA3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSA3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSAF3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
PDS3100-13-2477Diodes Incorporated
  • PDS3100-13
2023-05-15查看资料
HS3102-MC1Renesas
  • HS3101-MC1
2023-04-14查看资料
HS3102-ML1Renesas
  • HS3101-ML1
2023-04-14查看资料
HS3104Renesas
  • HS3103
2023-04-14查看资料
HS3104-MC1Renesas
  • HS3103-MC1
2023-04-14查看资料
HS3104-ML1Renesas
  • HS3103-ML1
2023-04-14查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

AUIPS1021R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

AUIPS2031R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

BTS3104SDLATMA1

Infineon Technologies

查看详情 · 3 条候选
  • BTS3104SDRATMA1Infineon Technologies参数相近
原型号

TPS3103K33DBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选
  • TPS3103K33DBVRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

144 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

AUIRFS3107-7TRL

Infineon / IR

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 260 A,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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AUIRFS3107TRL

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 260 A,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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BTS3104SDL

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution
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BTS3104SDLATMA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution
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BTS3104SDR

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution
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BTS3104SDRATMA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power Distribution
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CAS310M17BM3

Wolfspeed

该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half Bridge、产品 SiC Modules、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 中国,采用 Module 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules
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CAS310M17BM3T

Wolfspeed

该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Modules、正向电压(Vf) 2.5 V、栅源电压(Vgs) - 10, + 23 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules
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DS3100GN

Microchip / Microsemi

Clock Generators & Support Products Stratum 3/3E Timing Card IC

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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DS3100GN2

Microchip / Microsemi

主要参数包括型号别名 DS31GN2。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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