AUIPS1021R
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
11 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NRVTSA3100ET3G | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| NRVTSA3100ET3G-GA01 | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| NRVTSAF3100ET3G | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| NRVTSS3100ET3G | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| NRVTSS3100ET3G-GA01 | onsemi |
| 2024-01-17 | 查看资料 |
| PDS3100-13-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| HS3102-MC1 | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
| HS3102-ML1 | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
| HS3104 | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
| HS3104-MC1 | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
| HS3104-ML1 | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 260 A,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETInfineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 260 A,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETInfineon Technologies
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionInfineon Technologies
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionInfineon Technologies
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionInfineon Technologies
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2~10 V、电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 10 V、输出电流 2 A、类型 Low Side、输出数 1 Output,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionWolfspeed
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Half Bridge、产品 SiC Modules、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 中国,采用 Module 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesWolfspeed
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Modules、正向电压(Vf) 2.5 V、栅源电压(Vgs) - 10, + 23 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesMicrochip / Microsemi
Clock Generators & Support Products Stratum 3/3E Timing Card IC
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsMicrochip / Microsemi
主要参数包括型号别名 DS31GN2。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products