MMBT5551LT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
MMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.06 A，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5551M3T5G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 60 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5551Q-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5551W-AU_R1_007A1
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5551W_R1_00701
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMMBT5551_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTAMMBT5551-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVMMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSMMBT5551LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT