Comchip Technology
AMMBT5551-HF
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Comchip Technology
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
10 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 160 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 180 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 200 mV
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 连续集电极电流
- 600 mA
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 最大直流电流增益（hFE）
- 300
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。