BCP68T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 SOT-223-4 封装。
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CBCP68 TR
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CBCP68 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTCBCP68 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBCP68T1G
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBCP68T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。
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