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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BAS116Q-13-F-2462Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-13-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-7-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-7-F
2023-09-12查看资料
BAS116LT3Gonsemi
  • BAS116LT1G
2021-07-07查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

45 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BAS116DYX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 1.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual、恢复时间 0.8 us，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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BAS116E6327HTSA1

Infineon Technologies

该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4.5 A、正向电流（If） 250 mA、配置 Single、恢复时间 0.6 us，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116E6327XT

Infineon Technologies

该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4.5 A、正向电流（If） 250 mA、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116E6433HTMA1

Infineon Technologies

该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4.5 A、正向电流（If） 250 mA、配置 Single、恢复时间 0.6 us，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116GWJ

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOD-123-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116GWX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOD-123-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116H,115

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116H-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 0.8 us，采用 SOD123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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BAS116HMFHT116

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 80 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116HYFHT116

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括频率范围 1 MHz、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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