Infineon Technologies
BAS116E6433HTMA1
该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 4.5 A、正向电流（If） 250 mA、配置 Single、恢复时间 0.6 us，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 二极管
- 产品系列
- BAS116
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 产品
- General Purpose Diodes
- 峰值反向电压
- 85 V
- 最大浪涌电流
- 4.5 A
- 正向电流（If）
- 250 mA
- 配置
- Single
- 恢复时间
- 0.6 us
- 正向电压（Vf）
- 1250 mV
- 反向电流（Ir）
- 80 nA
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 370 mW
- 型号别名
- 116 BAS BAS116E6433XT E6433 SP000010196
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。