搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	资料
LA6324NM-MPB-E	onsemi	LM224	查看资料
MPSA63RLRMG	onsemi	MPSA63RLRAG	查看资料
OPA637	Texas Instruments	OPA828 OPA627	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

44 个原型号

原型号

AD711KRZ-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 47 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA637AU/2K5Texas Instruments相似型号

原型号

OP90GSZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA637AU/2K5Texas Instruments相似型号

原型号

TAS5414ATPHDQ1

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

TPA6304QDDVRQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

TPS3703A5330DSER

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

TPS3703A6330DSERTexas Instruments参数相近

原型号

XC6121A634ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选

XC6121C634ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121A639ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选

XC6121C639ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121C632ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6121A632ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121C637ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6121A637ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121D633ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6121A633ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121D638ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6121A638ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

92 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

5P49V5901A637NI8

IDT

主要参数包括商品名称 VersaClock。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products

查看技术资料

5P49V5901A637NLGI

IDT

主要参数包括商品名称 VersaClock。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products

查看技术资料

CA63

MACOM

主要参数包括技术 Si。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

查看技术资料

CMPTA63 TR

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPTA63 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

查看技术资料

CMPTA63 TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区韩国，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

查看技术资料

INA630DDFR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） - 18 V, 18 V, 36 V、电源电压（最小值） 2.5 V, 2.5 V, 4.5 V、技术 Si、放大器类型 Precision、输入类型 Differential，采用 TSOT-23-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

查看技术资料

MMBTA63-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

查看技术资料

MMBTA63-HF

Comchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

查看技术资料

MMBTA63-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

查看技术资料

MMBTA63LT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

查看技术资料