ChipSourceHub 美芯科技

Diodes Incorporated

MMBTA63-7-F

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、发射极-基极电压(VEBO) 10 V、集电极-基极电压(VCBO) 30 V、最大直流集电极电流 0.5 A,采用 SOT-23 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
MMBTA63
封装
SOT-23
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

13 项参数
配置
Single
晶体管极性
PNP
最大集电极-发射极电压(VCEO)
30 V
发射极-基极电压(VEBO)
10 V
集电极-基极电压(VCBO)
30 V
最大直流集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
工作温度范围
-55~150 °C
高度
1 mm
长度
3.05 mm
宽度
1.4 mm
最小直流电流增益(hfe)
5000
展开更多参数(1 项)
单件重量
0.000282 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MMBTA63-7-F 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技