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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
BR281W31A101V1G	onsemi	B300W35A109XXG	2023-12-22	查看资料
QS4A101QG	Renesas	QS3125QG	2022-02-28	查看资料
QS4A101QG8	Renesas	QS3125QG8	2022-02-28	查看资料
H3TRB	onsemi	JEDS22A101	2020-11-13	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

9 个原型号

原型号

74AVC1T45FW5-7

Diodes Incorporated

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

FXLA101L6Xonsemi相似型号

原型号

74AVC1T45GS,132

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

FXLA101L6Xonsemi相似型号

原型号

74AXP1T45GXZ

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

FXLA101L6Xonsemi相似型号

原型号

DS15BA101SD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近

原型号

DS15BA101SDE/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近

原型号

NTS0101GS,132

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

FXLA101L6Xonsemi相似型号

原型号

PIC24F08KA101T-I/SS

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选

PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选

原型号

QS4A101QG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐

原型号

XC6603A101ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 2 条候选

XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

166 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BR281W31A101V1G

ON Semiconductor

Audio DSPs VTC VOICEIGGER CHIP

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio DSPs

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BST400D12P4A101

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 394 A、漏源导通电阻（Rds On） 8.6 mOhms。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET Modules

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CDBHA10100-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 700 mV，采用 TO-277B-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

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CDBHA10150-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 TO-277B-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

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CFRA101-G

Comchip Technology

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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CURA101-HF

Comchip Technology

主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、原产国家或地区中国台湾、产品 Rectifiers。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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DS15BA101SD/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、工作电源电压 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 1.5 Gb/s，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Buffers & Line Drivers

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DS15BA101SDE/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、工作电源电压 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 2 Gb/s，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Buffers & Line Drivers

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DS15BA101SDX/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、工作电源电压 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 2 Gb/s，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Buffers & Line Drivers

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DS15EA101SQ/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 1.5 Gb/s、产品 Cable Equalizers、工作电源电流 77 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Equalizers

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