CY7C68023-56LTXC
Cypress Semiconductor
该型号为存储器,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是、商品名称 EZ-USB NX2LP-Flex、单件重量 0.006751 oz,采用 QFN-56 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory Controllers技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Cypress Semiconductor
该型号为存储器,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是、商品名称 EZ-USB NX2LP-Flex、单件重量 0.006751 oz,采用 QFN-56 封装。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersCypress Semiconductor
该型号为存储器,主要参数包括湿敏性 是、商品名称 EZ-USB NX2LP-Flex。
半导体 > Memory ICs > Memory ControllersIntel
主要参数包括原产国家或地区 VN、湿敏性 是、型号别名 999N4L,采用 FCBGA-1296 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsIntel
主要参数包括原产国家或地区 IE、湿敏性 是、型号别名 983218。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsIntel
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 983220,采用 FCBGA-1296 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsIntel
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 983222,采用 FCBGA-1296 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsInfineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 5.6 A,采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAnalog Devices / Linear Technology
主要参数包括工作电源电压 4~50 V、输出电压 5 V、输出电流 8 mA、电池类型 Li-Ion、产品 Battery Protection、工作电源电流 800 uA,采用 SSOP-44 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementAnalog Devices / Linear Technology
主要参数包括工作电源电压 4~50 V、输出电压 5 V、输出电流 8 mA、电池类型 Li-Ion、产品 Battery Protection、工作电源电流 800 uA,采用 SSOP-44 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementAnalog Devices / Linear Technology
主要参数包括工作电源电压 4~50 V、输出电压 5 V、输出电流 8 mA、电池类型 Li-Ion、产品 Battery Protection、工作电源电流 0.8 mA,采用 SSOP-44 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery Management