ChipSourceHub 美芯科技

Infineon / IR

IRLMS6802TRPBF

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 5.6 A,采用 TSOP-6 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
制造商
Infineon
品牌
Infineon / IR
产品类别
MOSFET
封装
TSOP-6
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

16 项参数
技术
Si
通道数
1 个通道
晶体管极性
P-Channel
漏源击穿电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Id)
5.6 A
漏源导通电阻(Rds On)
50 mOhms
栅源电压(Vgs)
12 V
栅极电荷(Qg)
11 nC
耗散功率(Pd)
2 W
配置
Single
高度
1.1 mm
长度
3 mm
展开更多参数(4 项)
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
型号别名
SP001568566
单件重量
0.000705 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

IRLMS6802TRPBF 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技