EPC2307
EPC
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 63 A，采用 QFN-7 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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FDMB2307NZ
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 18 A，采用 MicroFET-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFR2307ZTRLPBF
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、连续漏极电流（Id） 53 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMMFTP2307A
Diotec Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMP2307DN-LF
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 0.925～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、开关频率 340 kHz、类型 Synchronous Step-Down Converter、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsMP2307DN-LF-P
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、输出电压 0.925～20 V、输出电流 3 A、开关频率 340 kHz、类型 Synchronous、输出数 1 Output，采用 SOIC-8N 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsMP2307DN-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 0.925～20 V、输出电流 3 A、开关频率 340 kHz、类型 Synchronous Step-Down Converter、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 23 V，采用 SOIC-EP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsPAM2307AJEADJR
Diodes Incorporated
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 0.6～5.5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、开关频率 1.5 MHz、类型 DC-DC Voltage Converter、输出数 3 Output，采用 QFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsRN2307(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 10 kOhms、典型电阻比 0.213、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SC-70 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedRN2307,LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 TH、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors