PBSS4041SPN,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 130 MHz、连续集电极电流 - 5.9 A, 6.7 A，采用 SO-8 封装。
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PBSS4112PAN,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4112PAN-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 DFN2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4112PANP,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV, - 150 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4112PANP-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V，采用 DFN2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4120T,215
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4120T-QR
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669944215。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4130PAN,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 75 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4130PAN-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 DFN2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4130PANP,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 75 mV, - 85 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
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