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Nexperia

PBSS4130PAN,115

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 30 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V、集电极-发射极饱和电压 75 mV,采用 DFN-2020-6 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Nexperia
产品类别
晶体管
封装
DFN-2020-6
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Dual
最大集电极-发射极电压(VCEO)
30 V
集电极-基极电压(VCBO)
30 V
发射极-基极电压(VEBO)
7 V
集电极-发射极饱和电压
75 mV
最大直流集电极电流
2 A
增益带宽积(fT)
165 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
370
连续集电极电流
1 A
最小直流电流增益(hfe)
240
展开更多参数(3 项)
耗散功率(Pd)
1450 mW
认证等级
AEC-Q101
单件重量
0.000250 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

PBSS4130PAN,115 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技