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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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US1G M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1GHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1J M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1JHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1K M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1KHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1M M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1MHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS6M2GTR
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V, 20 V、连续漏极电流（Id） 1.5 A, 1 A，采用 TUMT-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETZHL-10M2G0005+
Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.4 A。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier