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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FMMTA56TA	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
FMMTA56TA-79	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
LA5693MD-AH	onsemi	TPS7XXX	2020-09-29	查看资料
LA5693MC-AH	onsemi	LA5693MD-AH		查看资料
OPA561	Texas Instruments	OPA564		查看资料
SA56004AD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CDP,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

22 个原型号

原型号

93AA56-I/P

Microchip Technology

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93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93AA56AT-I/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56B-I/SN

Microchip Technology

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93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56C-I/MS

Microchip Technology

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93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93C56BT-I/MS

Microchip Technology

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93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A-I/P

Microchip Technology

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93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56B/ST

Microchip Technology

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93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

AT93C56-10SI-2.7

Microchip Technology

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93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

AT93C56-10TI-2.7

Microchip Technology

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93AA56C-I/STMicrochip Technology直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

168 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SMMBTA56WT3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SMMBTA56WT3G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SSTA56HZGT116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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SSTA56T116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 $0.077 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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STA5630ATR

STMicroelectronics

主要参数包括工作电源电压 1.8 V、工作频率 1575.42～4.092 MHz、技术硅、类型 RF Front End、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front End

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W3090HA560

IXYS

主要参数包括产品 Rectifiers。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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XC6204A562MR-G

Torex Semiconductor

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、类型 High Speed Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 70 uA，采用 SOT-25-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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Z1SMA56

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 70 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes

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