ROHM Semiconductor
SSTA56HZGT116
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 80 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 4 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 250 mV
- 增益带宽积（fT）
- 50 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 连续集电极电流
- - 500 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 100
- 耗散功率（Pd）
- 350 mW
- 认证等级
- AEC-Q101
展开更多参数（1 项）
- 型号别名
- SSTA56HZG
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。