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Lattice Semiconductor Corporation
- ATF1504AS-10AU44Microchip Technology相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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SMMBTA56WT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSMMBTA56WT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSSTA56HZGT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSSTA56T116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 $0.077 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSTA5630ATR
STMicroelectronics
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、工作频率 1575.42～4.092 MHz、技术 硅、类型 RF Front End、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndW3090HA560
IXYS
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersXC6204A562MR-G
Torex Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、类型 High Speed Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 70 uA，采用 SOT-25-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsZ1SMA56
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 56 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 70 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes