原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- PI6CL10804WEXDiodes Incorporated相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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MCL103C-TR3
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 125 C、技术 Si、类型 Small Signal Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 20 V，采用 Micro MELF 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMCL10P1200LB-TRR
Littelfuse
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 100 uA、漏源导通电阻（Rds On） 160 mOhms、栅源电压（Vgs） - 20 V, + 20 V、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 SMPD-B 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMCL10P1200LB-TUB
Littelfuse
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 19.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 160 mOhms、栅源电压（Vgs） - 20 V, + 20 V、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 SMPD-B 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsPI6CL1001XDCEX
Diodes Incorporated
主要参数包括电源电压（最小值） 900 mV、电源电压（最大值） 1.98 V、最大输入频率 60 MHz、输出类型 LVCMOS、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 5 ns，采用 DFN-5 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock BufferPI6CL10804WE
Diodes Incorporated
主要参数包括电源电压（最大值） 1.6 V、电源电压（最小值） 1.1 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferPI6CL10804WEX
Diodes Incorporated
主要参数包括电源电压（最大值） 1.6 V、电源电压（最小值） 1.1 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferPM100CL1A120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM100CL1B060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM150CL1B060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM200CL1A060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT Modules