Littelfuse
MCL10P1200LB-TRR
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 100 uA、漏源导通电阻（Rds On） 160 mOhms、栅源电压（Vgs） - 20 V, + 20 V、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 SMPD-B 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Littelfuse
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 产品系列
- MCL10P1200LB
- 封装
- SMPD-B
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
13 项参数- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 100 uA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 160 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 栅极电荷（Qg）
- 50 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 下降时间
- 31 ns
- 上升时间
- 4 ns
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 典型关断延迟时间
- 24.5 ns
展开更多参数（1 项）
- 典型导通延迟时间
- 9.4 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。