原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
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第三方参考
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原型号
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Diodes Incorporated
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- XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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Rohm Semiconductor
- LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号
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Rohm Semiconductor
- LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号
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Texas Instruments
- INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
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NXP USA Inc.
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- XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选LP8340CDTX-3.3/NOPB
Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MAX6143BASA33+T
Maxim Integrated
主要参数包括输出电压 3.3 V、基准类型 Series Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 3 PPM/C、串联电压基准输入电压（最大值） 42 V、分流电流（最大值） 30 mA，采用 SOIC-Narrow-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage ReferencesMAX6469TA33AD3+T
Maxim Integrated
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 1.2 V to 5 V/1.5 V、输出电流 300 mA、输出类型 Adjustable, Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 TDFN-EP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsMAX6473TA33BD3+T
Maxim Integrated
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 1.5 V、输出电流 300 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 TDFN-EP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsMAX8510ETA33+T
Maxim Integrated
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 120 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 6 V，采用 TDFN-EP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsMAX8860EUA33+
Maxim Integrated
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 1.25 V to 6.5 V/3.3 V、输出电流 330 mA、输出类型 Adjustable, Fixed、输出数 2 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 6.5 V，采用 UMAX-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsMAX8860EUA33+T
Maxim Integrated
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 300 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 6.5 V，采用 UMAX-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsMSC025SMA330B4N
Microchip Technology
主要参数包括类型 Discrete mSiC MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 3.3 kV、连续漏极电流（Id） 104 A、漏源导通电阻（Rds On） 25 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC030SDA330B
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 62 A、重复反向电压（Vrrm） 3.3 kV、正向电压（Vf） 2.1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 205 A、反向电流（Ir） 5 uA，采用 TO-247-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesMSC080SMA330B4N
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 3.3 kV，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC090SDA330B2
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括配置 Single、正向电流（If） 184 A、重复反向电压（Vrrm） 3.3 kV、正向电压（Vf） 2.1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 615 A、反向电流（Ir） 15 uA，采用 T-MAX 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes