Microchip Technology
MSC025SMA330B4N
主要参数包括类型 Discrete mSiC MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 3.3 kV、连续漏极电流（Id） 104 A、漏源导通电阻（Rds On） 25 mOhms、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-247-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
技术参数
6 项参数- 漏源击穿电压（Vds）
- 3.3 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 104 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 25 mOhms
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 类型
- Discrete mSiC MOSFET
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。