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Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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IM2G16D3FDBG-125I
Intelligent Memory
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMKTDM2G3C618BGCEAT
SMARTsemi
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMKTDM2G3C618BGIEAT
SMARTsemi
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMKTDM2G3C818BGCEAT
SMARTsemi
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMKTDM2G3C818BGIEAT
SMARTsemi
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMMX66UM2G45GXRI00-T
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX66UM2G45GXRI00-TR
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX66UM2G45GXRR00-T
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashNCS7030DM2G014R2G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、每通道输出电流 50 mA、增益带宽积（GBP） 100 kHz、共模电压（Vcm） - 6 V to 80 V，采用 Micro-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersNCV7030DM2G014R2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、放大器类型 Current Sense、共模电压（Vcm） - 6 V to 80 V、共模抑制比（CMRR） 105 dB、输入偏置电流（Ib） 200 uA，采用 Micro8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers