原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
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STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
APT50M50JLL
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 MOSFET、栅源电压（Vgs） - 30 V, + 30 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAPT50M50JVFR
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件，主要参数包括工作电源电压 0.5 V、类型 MOSFET、产品 Power MOSFET Modules、栅源电压（Vgs） 30 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesAPT50M50JVFR
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 77 A、漏源导通电阻（Rds On） 50 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAPT50M50JVR
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT50M50JVR
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 77 A、漏源导通电阻（Rds On） 50 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAPT50M50L2LLG
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.352740 oz，采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT50M50L2LLG
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 89 A、漏源导通电阻（Rds On） 50 mOhms，采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsAPT51M50J
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件，主要参数包括通道数 1 个通道、产品 Power MOSFET Modules、栅源电压（Vgs） 30 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesAPT51M50J
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 51 A、漏源导通电阻（Rds On） 64 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAPT56M50B2
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 56 A、漏源导通电阻（Rds On） 85 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 T-MAX-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET