IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源导通电阻（Rds On） 142 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
IMYH200R012M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 123 A、漏源导通电阻（Rds On） 16.5 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMYH200R024M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 89 A、漏源导通电阻（Rds On） 33 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMYH200R050M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 48 A、漏源导通电阻（Rds On） 64 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMYH200R075M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 34 A、漏源导通电阻（Rds On） 98 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMYH200R100M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 26 A、漏源导通电阻（Rds On） 131 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMZ120R030M1H SP001727394。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMZ120R060M1H SP001808370。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMZ120R090M1H SP001946182。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMZ120R140M1H SP001946186。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET