IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1200 V、连续漏极电流（Id） 19 A，采用 TO-247-3 封装。
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芯片技术资料
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IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMW120R220M1H SP001946188。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMW120R350M1H SP001808376。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 47 A、漏源导通电阻（Rds On） 34 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 58 A、漏源导通电阻（Rds On） 42 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 46 A、漏源导通电阻（Rds On） 50 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 39 A、漏源导通电阻（Rds On） 64 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 35 A、漏源导通电阻（Rds On） 74 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 26 A、漏源导通电阻（Rds On） 94 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 111 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
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