搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FDMA6676PZ	onsemi	NTLJS14D0P03P8ZTAG	2021-10-01	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

35 个原型号

原型号

93AA66AX-I/SN

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

93AA66AXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA66BX-I/SN

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选

93AA66BXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93C66AT-I/MC

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA66AT-I/MCMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66AT-I/MS

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA66AT-I/MSMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66BT-I/MNY

Microchip Technology

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA66BT-I/MNYMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66CT-I/MC

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA66CT-I/MCMicrochip Technology相似型号

原型号

93C66CT-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA66CT-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC66BT-I/SN

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

BR93A66RFJ-WME2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

93LC66CT-I/SN

Microchip Technology

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC66T/SN

Microchip Technology

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

151 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FSA660TMX

onsemi

该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区 TH、单件重量 0.000229 oz，采用 X2QFN-18 封装。

半导体 > Switch ICs > USB Switch ICs

查看技术资料

FSA66P5X

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPST，采用 SC-70-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs

查看技术资料

GLS55VD020-60-C-TQWE

Greenliant

该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储器类型 Flash、备用电池切换否、工作电源电流 25 mA、最小工作温度 0 C，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > Memory Controllers

查看技术资料

GLS55VD020-60-C-TQWE-T

Greenliant

半导体 > Memory ICs > Memory Controllers

查看技术资料

GLS55VD020-60-I-TQWE

Greenliant

该型号为存储器，主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、存储器类型 Flash、备用电池切换否、工作电源电流 25 mA，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > Memory Controllers

查看技术资料

MDMA660U1600PT-PC

IXYS

主要参数包括电路类型 Rectifier Bridge、额定重复断态电压（VDRM） 1600 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 E3-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR Modules

查看技术资料

MDMA660U1600PTEH

IXYS

该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Rectifier Bridge、产品 Power Semiconductor Modules、正向电压（Vf） 1.28 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Triple，采用 E3-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

查看技术资料

MDNA660U2200PT-PC

IXYS

主要参数包括电路类型 Rectifier Bridge、额定重复断态电压（VDRM） 2200 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 E3-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR Modules

查看技术资料

MDNA660U2200PTEH

IXYS

该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Rectifier Bridge、产品 Power Semiconductor Modules、正向电压（Vf） 1.28 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、晶体管极性 N-Channel，采用 E3-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules

查看技术资料

MPSA66

Central Semiconductor

该型号为晶体管，采用 TO-92 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

查看技术资料