IXYS
MDNA660U2200PTEH
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Rectifier Bridge、产品 Power Semiconductor Modules、正向电压（Vf） 1.28 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、晶体管极性 N-Channel，采用 E3-Pack 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- 半导体器件
- 封装
- E3-Pack
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- Blister Card
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 产品
- Power Semiconductor Modules
- 类型
- Rectifier Bridge
- 正向电压（Vf）
- 1.28 V
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 晶体管极性
- N-Channel
- 耗散功率（Pd）
- 830 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。