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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
7133SA70GBRenesas
  • 7133SA90GB
2023-12-05查看资料
7140SA70CBRenesas
  • 7140SA55L48B
2022-02-28查看资料
MPSA70RLRMGonsemi
  • MPS6652RLRAG
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OPA705UATexas Instruments
  • OPA196IDR
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

18 个原型号
原型号

7133SA70J8

Renesas Electronics Corporation

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  • 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

ALD1703PAL

Advanced Linear Devices Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号

CAT6241-ADJHU2MUTAG

onsemi

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  • TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号

LM4819MX/NOPB

Texas Instruments

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  • TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号

LM4900M/NOPB

Texas Instruments

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  • TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号

LT1800CS5#TRM

Analog Devices Inc.

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  • OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LT1800IS5#TR

Analog Devices Inc.

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  • OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

MC34119D

NXP USA Inc.

查看详情 · 28 条候选

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  • TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号

OPA704NA/250G4

Texas Instruments

查看详情 · 44 条候选
  • OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

SLA7075MR

Sanken Electric USA Inc.

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  • SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

308 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IXA70R1200NA

IXYS

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 100 A,采用 SOT-227B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules
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IXTA70N075T2

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 70 A,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXTA70N075T2-TRL

IXYS

主要参数包括商品名称 TrenchT2。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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KSA708CYTA

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 60 V、集电极-基极电压(VCBO) - 80 V、发射极-基极电压(VEBO) - 8 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.3 V,采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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KSA708YBU

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 60 V、集电极-基极电压(VCBO) - 80 V、发射极-基极电压(VEBO) - 8 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.3 V,采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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KSA708YTA

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 60 V、集电极-基极电压(VCBO) - 80 V、发射极-基极电压(VEBO) - 8 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.3 V,采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MAAM-008727-0CA701

MACOM

RF Amplifier Amplifier 10-250 MHZ Connectorized CA70-

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MAX6665ASA70+

Maxim Integrated

主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Fan Controller、产品 Fan / Motor Controllers / Drivers、工作电源电流 65 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-EP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
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MCMA700P1600CA

IXYS

主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 1.2 kA、非重复通态电流 19 kA、额定重复断态电压(VDRM) 1.6 kV、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 2 mA、通态电压 1.16 V、最大维持电流(Ih) 300 mA。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR Modules
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MCMA700P1600NCA

IXYS

主要参数包括电路类型 Phase Leg、通态有效值电流(It RMS) 1100 A、非重复通态电流 19 kA、额定重复断态电压(VDRM) 1600 V、最大维持电流(Ih) 300 mA、门极触发电压(Vgt) 2 V,采用 ComPack 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR Modules
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