原型号
查看详情 · 20 条候选74AVC1T45FW5-7
Diodes Incorporated
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 12 条候选74AVC1T45GS,132
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 13 条候选74AXP1T45GXZ
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SD/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SDE/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 10 条候选NTS0101GS,132
NXP USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选PIC24F08KA101T-I/SS
Microchip Technology
- PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选QS4A101QG
Renesas Electronics Corporation
- QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选XC6603A101ER-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
PTVA101K02EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030 MHz / 1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36275-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsQPA1010
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9～11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1010D
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9～11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1010TR7
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1011
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9～11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1011D
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9～11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1011TR7
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1013D
Qorvo
主要参数包括型号别名 1141277。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1014SQ
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7～3.7 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 30.3 dB，采用 QFN-28 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1014TR7X
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7～3.7 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 30.3 dB，采用 QFN-28 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier