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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

ADC0808S250HW/C1:1

NXP USA Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • ADC0808S250HW/C1:5Renesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

NCP163AFCT250T2G

onsemi

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NCP160BFCS250T2Gonsemi参数相近
原型号

SN65LVDS250DBTRG4

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选
  • SN65LVDS250DBTRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

342 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S250

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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S250F

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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S250K

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 380 V、正向电压（Vf） 950 mV，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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1SS250(TE85L,F)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、反向电流（Ir） 1 uA、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-346-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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1SS250T5LFT

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifier、产品 Switching Diodes、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、恢复时间 60 ns，采用 SOT-346-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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A3G20S250-01SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 GaN Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 250 mA，采用 NI-400S-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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AFS250-1FG256

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 114 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 1282.05 MHz、逻辑单元数 3000，采用 FBGA 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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AFS250-1FG256

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 114 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.28205 GHz，采用 FBGA-256 封装。

半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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AFS250-1FG256I

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 114 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 1282.05 MHz、逻辑单元数 3000，采用 FBGA 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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AFS250-1FG256I

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 114 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.28205 GHz，采用 FBGA-256 封装。

半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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