MRF151
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V、增益 13 dB，采用 221-11-3 封装。
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MRF151
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsMRF1511NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMRF1511NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMRF1513NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsMRF1513NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMRF1517NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PLD-1.5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMRF1517NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PLD-1.5 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsMRF1518NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMRF1518NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。
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