BSM180C12P2E202
ROHM Semiconductor
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 SiC Power Module、产品 Power Semiconductor Modules、正向电压（Vf） 1.6 V at 180 A、栅源电压（Vgs） - 6 V, 22 V、最小工作温度 - 40 C，采用 Module 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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QE202
TXC Corporation
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsS-1721E2025-M6T1U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.001058 oz，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTLE2021ACD
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2021ACDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2021ACP
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2021AID
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2021AIDR
Texas Instruments
主要参数包括输入类型 Rail-to-Rail、压摆率（SR） 0.5 V/us、共模抑制比（CMRR） 85 dB to 110 dB、输入偏置电流（Ib） 70 nA、输入失调电压（Vos） 0.3 mV、工作电源电流 200 uA，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2021AIP
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2021AQDREP
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-8 封装。
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