ON Semiconductor / Fairchild
FJP2145TU
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-220-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- FJP2145
- 封装
- TO-220-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 800 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 1100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 0.151 V
- 耗散功率（Pd）
- 120 W
- 增益带宽积（fT）
- 15 MHz
- 最大工作温度
- + 125 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 40
- 技术
- Si
- 连续集电极电流
- 5 A
展开更多参数（2 项）
- 最小直流电流增益（hfe）
- 20
- 单件重量
- 0.063493 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。