ROHM Semiconductor
QSZ4TR
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、最大直流集电极电流 2 A、增益带宽积（fT） 280 MHz，采用 SOT-25-5 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- QSZ4
- 封装
- SOT-25-5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 30 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 30 V
- 最大直流集电极电流
- 2 A
- 增益带宽积（fT）
- 280 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 680
- 最小直流电流增益（hfe）
- 270
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW
- 型号别名
- QSZ4
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。