Diodes Incorporated
2DD1664P-13
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2DD16
- 封装
- SOT-89-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 32 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 40 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 增益带宽积（fT）
- 280 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 高度
- 1.5 mm
- 长度
- 4.5 mm
- 宽度
- 2.48 mm
- 最小直流电流增益（hfe）
- 82
展开更多参数（2 项）
- 耗散功率（Pd）
- 1000 mW
- 单件重量
- 0.001834 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。