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Micron

MT29F8G01ADAFD12-AAT:F TR

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 G x 1、数据总线宽度 1 位,采用 Die 封装。

基本资料

制造商
Micron Technology
品牌
Micron
产品类别
NAND Flash
产品系列
MT29F
封装
Die
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

7 项参数
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
存储组织结构
8 G x 1
数据总线宽度
1 位
电源电压范围
2.7~3.6 V
工作温度范围
-40~105 °C
湿敏性
是

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MT29F8G01ADAFD12-AAT:F TR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技