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SemiQ

GHXS015A120S-D1

该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 SiC Schottky Diode、反向电压(Vr) 1.2 kV、正向电流(If) 15 A、配置 Rectifier Bridge、正向电压(Vf) 2.1 V。

基本资料

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品牌 / 制造商
SemiQ
产品类别
二极管
安装方式
Screw Mount
包装方式
管装

技术参数

12 项参数
反向电压(Vr)
1.2 kV
正向电流(If)
15 A
类型
SiC Schottky Diode
配置
Rectifier Bridge
正向电压(Vf)
2.1 V
工作温度范围
-55~175 °C
原产国家或地区
菲律宾
高度
12.19 mm
长度
38.1 mm
耗散功率(Pd)
120 W
技术
碳化硅(SiC)
宽度
26.9 mm

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

GHXS015A120S-D1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技