Microchip / Microsemi
APTGLQ50H65T1G
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.85 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 SP1 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- IGBT Modules
- 封装
- SP1
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
11 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Quad
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 650 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.85 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 70 A
- 栅射漏电流
- 150 nA
- 耗散功率（Pd）
- 175 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 技术
- Si
- 最大栅射电压
- 20 V
- 单件重量
- 2.821917 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。