Vishay Semiconductors
SIHA125N60EF-GE3
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 11 A、漏源导通电阻（Rds On） 125 mOhms。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- MOSFETs
- 产品系列
- SIHA EF
- 安装方式
- 通孔安装
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 11 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 125 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 30 V, 30 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 31 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 179 W
- 通道模式
- Enhancement
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- 原产国家或地区
- IL
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。