ON Semiconductor / Fairchild
FDMC4435BZ-F126
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 8.5 A，采用 Power-33-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- Power-33-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 8.5 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 20 mOhms
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 31 W
- 配置
- Single
- 高度
- 0.8 mm
- 长度
- 3.3 mm
- 晶体管类型
- 1 P-Channel
展开更多参数（3 项）
- 宽度
- 3.3 mm
- 型号别名
- FDMC4435BZ_F126
- 单件重量
- 0.010582 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。