Vishay Semiconductors
ILD1211T
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 输出类型
- NPN Phototransistor
- 通道数
- 2 个通道
- 正向电流（If）
- 60 mA
- 最大集电极电流
- 400 mA
- 隔离电压
- 5300 Vrms
- 最大集电极－发射极饱和电压
- 0.4 V
- 正向电压（Vf）
- 1.65 V
- 反向电压（Vr）
- 6 V
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 工作温度范围
- -40～100 °C
- 电流传输比
- 80 %
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。