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ROHM Semiconductor

FMW3T148

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Dual、晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 120 V、连续集电极电流 50 mA、耗散功率(Pd) 300 mW、发射极-基极电压(VEBO) 5 V。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
FMW3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

6 项参数
配置
Dual
晶体管极性
NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO)
120 V
连续集电极电流
50 mA
耗散功率(Pd)
300 mW
发射极-基极电压(VEBO)
5 V

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

FMW3T148 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技