ChipSourceHub 美芯科技

onsemi

KSC5502TU

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-基极电压(VCBO) 1.2 kV,采用 TO-220-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
onsemi
产品类别
晶体管
产品系列
KSC5502
封装
TO-220-3
安装方式
通孔安装
包装方式
管装

技术参数

16 项参数
技术
Si
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大直流集电极电流
2 A
最大集电极-发射极电压(VCEO)
600 V
集电极-基极电压(VCBO)
1.2 kV
发射极-基极电压(VEBO)
12 V
集电极-发射极饱和电压
190 mV
耗散功率(Pd)
50 W
最大工作温度
+ 150 C
组装国家或地区
中国
晶圆制造国家或地区
中国
展开更多参数(4 项)
原产国家或地区
中国
最小直流电流增益(hfe)
15
最大直流电流增益(hFE)
15
单件重量
0.063493 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

KSC5502TU 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技