Microchip / Microsemi
2N5430
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-66-2 封装。
基本资料
- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-66-2
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
7 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 100 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 700 mV
- 最大直流集电极电流
- 7 A
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。