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ROHM Semiconductor

DTDG23YPT100

该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.22、最小直流电流增益(hfe) 300、连续集电极电流 1 A,采用 SOT-89-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
DTDG23YP
封装
SOT-89-3
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻
2.2 kOhms
典型电阻比
0.22
最小直流电流增益(hfe)
300
连续集电极电流
1 A
峰值直流集电极电流
1000 mA
耗散功率(Pd)
1.5 W
最大工作温度
+ 150 C
最大直流电流增益(hFE)
300
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
展开更多参数(2 项)
宽度
2.5 mm
型号别名
DTDG23YP

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

DTDG23YPT100 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技