Nexperia
PDTD113ET,215
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 1 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益（hfe） 33、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Nexperia
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-23-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- NPN
- 典型输入电阻
- 1 kOhms
- 典型电阻比
- 1
- 最小直流电流增益（hfe）
- 33
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 连续集电极电流
- 500 mA
- 峰值直流集电极电流
- 500 mA
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 10 V
- 高度
- 1 mm
展开更多参数（5 项）
- 长度
- 3 mm
- 宽度
- 1.4 mm
- 认证等级
- AEC-Q101
- 型号别名
- PDTD113ET T/R
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。