Vishay / Siliconix
DG636EEN-T1-GE4
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～16 V、双电源电压 +/- 3 V to +/- 8 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3 V、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V，采用 QFN-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- 集成电路
- 封装
- QFN-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 开关数
- 2 Switch
- 配置
- 2 x SPDT
- 导通电阻（最大值）
- 129 Ω
- 导通时间（最大值）
- 58 ns
- 关断时间（最大值）
- 61 ns
- 工作电源电压
- 3～16 V
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 供电类型
- Single Supply, Dual Supply
- 电源电流（最大值）
- 1 uA
- 双电源电压
- +/- 3 V to +/- 8 V
- 最大双电源电压
- +/- 8 V
- 最小双电源电压
- +/- 3 V
展开更多参数（3 项）
- 耗散功率（Pd）
- 525 mW
- 电源电压范围
- 3～16 V
- 开关连续电流
- - 1 nA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。